Darbas:
energijos, kad įveikti dioksido elektrinį barjerą. Kad apsaugoti oksidą nuo nepageidaujamos šviesos (saulės ar kt.) poveikio, oksido sluoksnis yra apsaugojamas. Daugelyje atvejų yra naudojami vienas arba keli pasyvinimo sluoksniai, turintys savyje nitrido, kuris efektyviai apsaugo nuo nepageidaujamų ultravioletinių spindulių. Pats oksido sluoksnis taip pat absorbuoja dalį šviesos, todėl ultravioleto šviesos laidumo didinimo efektyvumas nėra labai žymus. Būtent dėl to EPROM atminčių ištrynimas trunka nuo kelių minučių iki valandos. Įrašytą informaciją galima ištrinti per specialų langelį mikroschemoje. Kai kurios mikroschemos neturi lango; informacija ištrinama panaudojant rentgeno spindulius. Spinduliavimo metu visa informacija ištrinama vienu metu per keletą minučių. Po ištrynimo EPROM atmintis gali būti pakartotinai perprogramuota įrašant į ją naujus duomenys. Deja įrašymo arba ištrynimo procesas atima daug laiko.Ten, kur reikalingas reguliarus duomenų ištrynimas ir perprogramavimas, didesnio lankstumo suteikia elektriškai ištrinama bei perprogramuojama atmintis, kuri vadinama EEPROM. Šio tipo atmintys naudojamos (2.4 pav.) automobiliuose (stabdžių blokavimo ir variklio sekimo sistemos, oro pagalvės), telekomunikacijų įrangoje (telefonai, faksai, modemai), buitinėje vaizdo technikoje (televizoriai, vaizdo kameros, mp3 grotuvai),
2.4 pav. EEPROM atminties mikroschemų panaudojimas
specializuotuose pramonės įrenginiuose (variklių valdikliai, matavimo įrenginiai), kompiuteriuose (CD grotuvai, motininės plokštės ir kt.).
Panašiai kaip ir dauguma EPROM, EEPROM atmintis kiekvienoje ląstelėje turi plaukiojančią MOP tranzistoriaus užtūrą (2.5 pav.).
2.5 pav. EEPROM atminties ląstelė: a) struktūra, b) mikroskopinė nuotrauka
Šiuo atveju plaukiojanti užtūra yra įkraunama naudojant didesnį potencialą tarp įžeminto šaltinio ir užtūros su nuotėkiu. Tai tunelinis efektas, kuris priverčia elektronus tekėti per oksido sluoksnį, tokiu būdu įkraunant plaukiojančią užtūrą bei padidinant įtaiso slenkstinę įtampą (ląstelėje atsiranda loginis 1). Tunelinis efektas pasireiškia esant plonam dielektriko sluoksniui. Šis efektas taip pat naudojamas esant storesniam dielektriko sluoksniui, atitinkamai padidinus įtampą skersai jo. Didžiausia šio efekto panaudojimo problema yra ta, kad daugelyje naudojamų dielektrikų silicio storis yra skirtingas. Todėl didžiausia srovės dalis prateka ploniausiais sluoksniais, o tai gali iššaukti silicio
|
|
Komentarai