Komentarai (0)

(Darbą įkėlė Svečias)

Darbas:

užtūrą su išore. Be to plaukiojanti užtūra turi sekciją, kuri yra labai arti substrato, atskirto labai plonu oksido sluoksniu. Išorinė užtūra yra prijungta per terminalą ir funkcionuoja panašiai kaip ir paprastas metalo-oksido lauko tranzistorius. Įtampos panaudojimas tarp išorinės užtūros ir šaltinio sukurto elektrinio lauko, kuri jungiama kaip talpa per vidinę užtūrą su substrato paviršiumi, įtakoja lauko tranzistoriaus nuotėkio į šaltinį voltamperines charakteristikas. Daugumoje EPROM atminčių, kiekvienoje ląstelėje yra plaukiojančios užtūros tranzistorius. Jei plaukiojanti užtūra yra neįkrautą, MOP tranzistorius yra laidus energijai ir ląstelę galima laikyti loginiu 0. MOP tranzistoriaus plaukiojanti užtūra gali būti padaryta nelaidi, tačiau tai priverčia užtūros elektrodą įsikrauti neigiamai. Tai daroma įrašymo metu (2.3 pav.) įžeminant šaltinį.

2.3 pav. EPROM atminties įrašymo procesas

Programavimo

įtampos Vgs (25 – 28 V) ir Vds (16 – 20 V) priverčia tekėti elektronus link plaukiojančios užtūros, tuo pačiu didinant slenkstinę MOP tranzistoriaus įtampą. Susidaro laidus kanalas tarp šaltinio ir nuotėkio sluoksnio. Elektronai, tekantis žemiau plono oksido sluoksnio, po plaukiojančia užtūra, įgauna didelį greitį ir bombarduoja sritį nuo plaukiojančios užtūros iki substrato. Tai sąlygoja daugiau energijos turinčius elektronus migruoti per oksido sluoksnį į plaukiojančią užtūrą. Šis procesas yra savaime reguliuojamas, kadangi bet kokia neigiama įtampa ant plaukiojančios užtūros sumažina substrato laidžią sritį. Kai programavimo įtampa yra pašalinama, krūvis esantis plaukiojančioje užtūroje išlieka. Kadangi šis krūvis yra neigiamas, tai sumažina bet kokios įtampos Vgs įtaką išorinei užtūrai ir kartu padidina atminties efektyvią slenkstinę įtampą. Atminties elementas sukonstruotas taip, kad slenkstinė įtampa viršija 5 V, kai plaukiojanti užtūra praleidžia krūvį. Esant tokiom sąlygom sistema bus nelaidi tol, kol jos užtūra turi energijos. Atminties elemente atsiras loginis 1.
Krūvis, sukauptas EPROM atminties plaukiojančioje užtūroje gali išlikti labai ilgą laiką. Apytikriai skaičiavimai rodo, kad EPROM atminties ląstelė gali išsaugoti duomenys 10 – 100 metų laikotarpyje. Krūvis gali būti pašalintas nuo plaukiojančios užtūros apšvietus ją atitinkamo bangos ilgio ultravioleto šviesa. Nominalus šviesos šaltinio bangos ilgis turi būti 254 nm bei turėti didelę energiją (atliekant ši procesą būtinai turi būti naudojama akių apsauga!). Veikiant silicio dioksidą ultravioletine šviesa, laisvos plaukiojančios užtūros elektronų bei skylių poros įgaus pakankamai kinetinės