Darbas:
baigiamajame darbe aš išanalizavau nuolatinių atminčių bei programatorių tipus, parinkau labiausiai tinkančio programatoriaus schemą, atlikau jos analizę, suprojektavau spausdintinę plokštę, sumontavau veikiantį maketą bei atlikau jo eksperimentinį tyrimą.2. LITERATŪROS APŽVALGA
2.1 Nuolatinių atminčių tipai, programavimas ir panaudojimas
Atmintis, kurioje informacija išlieka atjungus maitinimą, vadinama elektriškai nepriklausoma nuolatine atmintimi (angl. NVM – Non Volatile Memorie). Elektriškai nepriklausoma atmintis naudojama kompiuteriuose BIOS kodui saugoti, periferinių įrenginių konfigūracijai, daugelyje buitinių bei pramoninių prietaisų ir kt. Galima išskirti keletą energetiškai nepriklausomos atminties tipų:
· ROM (angl. Read Only Memory)
· PROM (angl. Programmable Read Only Memory)
· EPROM (angl. Erasable Programmable Read Only Memory)
· EEPROM
· Flash atmintis (angl. Flash Memory)
· FRAM (angl. Feroelectric Random Access Memory)
ROM atminties mikroschemos šiuo metu praktiškai nenaudojamos, nes neleidžia keisti įrašytą į jas atmintį. Šių mikroschemų programavimas atliekamas jų pagaminimo etape. Norint pakeisti kodą reikėdavo iš naujo projektuoti naują mikroschemą.
PROM rado kur kas didesnę pritaikymo sritį, nes šio tipo mikroschemos beveik nejautrios elektromagnetinių laukų poveikiui. Jos programuojamos tik vieną kartą po pagaminimo su specialiais programatoriais.
Ištrinamos ir daugelį kartų perrašomos EPROM tipo atmintinės (2.1 pav.) iki šiol yra
2.1 pav. EPROM tipo atmintis DIP korpuse
gana populiarios. Jos dažniausiai naudojamos spausdintuvuose, didėlės raiškos televizoriuose, DVD bei vaizdo grotuvuose, žaidimams skirtuose įrenginiuose. Taikant vis pažangesnes mikroschemų gamybos technologijas, pavyko labai stipriai padidinti EPROM atmintinių dydį. Jei pradžioje reikėdavo tenkintis 16-256 Kb dydžio atmintimis, tai dabar jau gaminamos net 64 MB mikroschemos. Padidėjo ne tik jų talpumas, bet ir kreipimosi greitis, sumažėjo suvartojamos elektros energijos kiekis.
Dauguma EPROM atmintinių turi tas pačias savybes kaip ir ROM atmintis. EPROM duomenų linijos surištos naudojant plaukiojančią užtūrą, kurios struktūra pavaizduota 2.2 pav.
2.2 pav. EPROM atmintinėse naudojamo metalo-oksido lauko tranzistoriaus plaukiojančios užtūros schema
EPROM modulis turi dvi užtūras. Vidinę, arba plaukiojančią užtūrą, iš visų pusių padengtą oksido sluoksniu. Ši konstrukcija izoliuoja vidinį elektrodą ir praktiškai panaikina bet kokius nuotėkių takelius, kurie priešingu atveju sujungtų
|
|
Komentarai